CSLT 中國化學會 Chemical Society Located in Taipei

2009-11-11 ~ 2009-11-11

(台北) 和平東路二段106號6樓(

導電高分子材料及其光電應用技術

最後更新：
2009-10-26 10:57:13

活動時間：
2009-11-11 ~ 2009-11-11

活動地點：
(台北) 和平東路二段106號6樓(科技大樓)

報名時間：
2009-10-26 ~ 2009-11-11

活動費用：
費用：每人 500元整（原價NT$1,000，政府補助 NT$500，學員自付 NT$500）

活動結束

活動介紹

*導電高分子之主鏈結構是由交替的單鍵-雙鍵共軛鍵結而成，此共軛結構之能帶間隙約在1.0~3.5 eV之間，因此具有半導體材料的主要特徵，可應用在各種半導體元件之製作，例如發光二極體、太陽能電池、薄膜電晶體等。由於共軛性高分子可經由化學或電化學的方式加以摻雜，使主鏈上移去部分電子而產生電洞(氧化)或注入數個額外電子(還原)，並伴隨在能帶間隙中產生新能階，使這些電洞或額外電子可以在分子鏈上躍遷移動，此時共軛性高分子便成為具有本質導電性之導電體，有別於一般摻入金屬粉或導電級碳黑的高分子複合體，可應用在抗靜電、電磁波遮蔽塗佈、導電材料、感測器等。此外，由於電化學摻雜具可逆氧化還原反應之特性，因此導電高分子亦具有儲能及電變色之特性，可應用在二次電池、固態電容器、電變色元件、防蝕塗料等。導電高分子具有可低溫加工、可大面積化、可撓曲、低製作成本等優點，故未來將對電子及資訊工業產生巨大影響。本課程將針對近導電高分子材料結構、導電機制、及其近年來應用在光電領域之技術發展現況做一介紹，希望讓學員們可透過此一課程對導電高分子材料及其光電應用技術有一個基本的概念與認識。